離子束濺射鍍膜(IBS) 使用離子源在目標(biāo)材料上沉積或?yàn)R射薄膜以形成介電薄膜。由于離子束是單能和準(zhǔn)直的，它可以非常地控制薄膜的厚度。由于離子束是單能和準(zhǔn)直的，它可以非常地控制薄膜的厚度。 IBS 系統(tǒng)的典型配置包括基板、靶材和網(wǎng)格離子源，離子束聚焦在靶材上，附近的基板是濺射的靶材。

什么是離子束沉積？

離子束濺射鍍膜IBS，也稱為離子束沉積，是一種將介電或金屬材料薄膜沉積到基材上的工藝，同時(shí)允許對(duì)涂層厚度進(jìn)行極精細(xì)的控制。在此過(guò)程中，離子束或離子源將來(lái)自電源的材料以密集、一致的圖案沉積或?yàn)R射到工件上。 離子束沉積工藝具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，因?yàn)椴僮鲉T可以控制從濺射速率到離子能量和密度的一切。這允許完全控制沉積層的微觀結(jié)構(gòu)和薄膜化學(xué)計(jì)量。對(duì)于需要精度的應(yīng)用，例如半導(dǎo)體，IBS 優(yōu)于物理氣相沉積等替代濺射工藝。

什么是輔助離子束沉積？

輔助離子束沉積使用兩個(gè)同時(shí)進(jìn)行的過(guò)程——離子束濺射鍍膜IBS 和離子實(shí)施——來(lái)創(chuàng)建混合涂層。這個(gè)過(guò)程允許精細(xì)的控制，并且可以在薄膜層和下面的襯底的原始表面層之間形成逐漸變厚或變薄的過(guò)渡。輔助離子束沉積也使沉積的薄膜具有更強(qiáng)的結(jié)合力。

離子束濺射鍍膜的主要優(yōu)勢(shì)

離子束濺射鍍膜IBS的優(yōu)勢(shì)之一是您可以控制多個(gè)參數(shù)。這些包括離子電流密度、離子能量和有助于控制薄膜微觀結(jié)構(gòu)的入射角。這是濺射工藝的主要優(yōu)勢(shì)和區(qū)別，這使得 IBS 成為您可能遇到的任何具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用的選擇。

離子束濺射鍍膜IBS涂層以提供控制和高密度沉積層而聞名。這種涂層方法的其它優(yōu)勢(shì)也表現(xiàn)在以下幾方面：

• 高能鍵合 IBS工藝提供足夠的動(dòng)能以在基材表面和涂層之間形成持久的粘合。

• 均勻性 濺射通常從較大的目標(biāo)表面積發(fā)射，與真空鍍膜和其他替代方法相比，可確保更均勻的應(yīng)用。

• 多功能性 IBS 幾乎可以為任何材料提供涂層，即使是那些具有高熔點(diǎn)的材料。這使其成為需要非常特殊涂層性能的項(xiàng)目的選擇。